(1) 高速自己テスト回路内蔵半導体記憶装置 特許第3061988号
(2) 位相同期型タイミング発生回路 特許第2830735号
(3) 高速低電力型デコード回路 特許第2689950号
(4) バイポーラＣＭＩＳ型論理回路 特許第2728031号
(5) 判定回路 特許第2853740号
(6) 双方向遷移数削減インターフェース回路 特許第3006524号
(7) レベル変換回路 特許第2546398号
(8) 電流切り替え型差動論理回路 特許第2808783号
(9) 半導体出力回路 特許第2855796号
(10) カレントミラ−型レベル変換回路（共願） 特許第2734746号
(11) 半導体集積回路 特許第2944243号
(12) 半導体集積回路 特許第2671647号
(13) 半導体レベル変換回路 特許第3060621号
(14) スタティック型半導体メモリ読みだし回路 特許第2817490号
(15) 半導体スタテイツクメモリ 特許第2551355号
(16) 半導体スタテイツクメモリ用ワ−ド線駆動回路 特許第2590696号
(17) 信号配線回路 特許第2606093号
(18) 半導体集積回路 特許第2606082号
(19) 半導体記憶装置 特許第5617679号 (2014.09.26)
(1) インターフェース回路 特開平10-341146
(2) パラレル−シリアル変換回路並びにこれを用いたパラレル−シリアル変換回路及びシリアル−パラレル変換回路 特開平11-098022
(3) データマルチプレクサ回路及び之を用いたシリアル−パラレル変換回路
特開平11-098101
(4) 位相比較回路 特開平11-355133
(5) 半導体集積回路及びこれを用いた波形整形回路 特開2001-102909
(6) 遅延等価回路による遅延時間算出方法（共願） 特願2000-340594
(7) ＣＭＩＳ型半導体不揮発記憶回路 特願2002-367648,2002/12/19
(8) 半導体不揮発記憶回路 特願2004-108484,2004/03/31
(9) ＣＭＩＳ型半導体不揮発記憶回路 特願2006-101114,2006/03/31
(10) ＳＲＡＭメモリセルの評価方法及びＳＲＡＭメモリセルの評価プログラム 特願2007-95928,2007/03/31
(11) アナログ補正回路 特願2007-89951,2007/03/29
(12) 半導体記憶装置 中村和之、齋藤貴彦、特願2011-35109,2011/02/21
(13) 半導体記憶装置 中村和之、齋藤貴彦、岡村均、特願2012-76414,2012/03/29
(14) 半導体記憶装置 岡村均、中村和之、齋藤貴彦、特願2012-78557,2012/03/30
(15) 半導体記憶装置 中村和之、齋藤貴彦、岡村均、PCT/JP2013/58217, 2013.3.22
(16) 符号変換回路及び並列信号変換送受信システム 小原祐輔、久保直也、中村和之、特願2016-53531, 2016.3.17
(1) PLL TIMING GENERATOR WITH VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR, US-5619170
(2) PLL TIMING GENERATOR, US-5929714
(3) ADDRESS DECODER CIRCUITS ADJUSTED FOR A HIGH SPEED OPERATION AT A LOW POWER CONSUMPTION, US-5721709
(4) COMPACT AND HIGH-SPEED JUDGING CIRCUIT USING MISFETS, US-5838166
(5) BI-DIRECTIONAL INTERFACE CIRCUIT OF REDUCED SIGNAL ALTERATION, US-5917364
(6) INTERFACE CIRCUIT, US-6094070
(7) PARALLEL-TO-PARALLEL CONVERTER INCLUDING COMMON MULTIPLE REGISTER, US-6184808
(8) SERIAL-PARALLEL CONVERSION APPARATUS, US-6177891
(9) CURRENT MIRROR TYPE LEVEL CONVERTERS, US-5039886
(10) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING STEP-DOWN CIRCUIT ASSOCIATED WITH COMPONENT CIRCUITS ARRANGED IN LOW-POWER CONSUMPTION MANNER, US-5270581
(11) SEMICONDUCTOR INTEFRATED CIRCUIT WITH SELECTIVE INTERFACING ON DIFFERENT INTERFACE LEVELS, US-5331219
(12) SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT HAVING LOWER VOLTAGE SUPPLY FOR DATA READING LINES, US-5392243
(13) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH BUILT-IN REGULATING SYSTEM FOR DETERMINING MARGINS OF MAIN CIRCUITS, US-5453954
(14) STATIC SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING IMPROVED READ OPERATION MARGIN AND SPEED, US-5463580
(15) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH BUILT-IN REGULATING SYSTEM FOR DETERMINING MARGINS OF MAIN CIRCUITS, 韓国-0132639
(16) STATIC SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING IMPROVED READ OPERATION MARGIN AND SPEED,韓国-0138881
(17) CMIS SEMICONDUCTOR NONVOLATILE STORAGE CIRCUIT, US-7151706,2006/12/19
(18) CMIS SEMICONDUCTOR NONVOLATILE STORAGE CIRCUIT, US-7248507,2007/7/24
(19) ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE, US-7924636,2011/4/12
(20) METHOD FOR EVALUATING SRAM MEMORY CELL AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM WHICH RECORDS EVALUATION PROGRAM OF SRAM MEMORY CELL, US-8169813,2012/5/1
(21) ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE, 韓国-10-1402419,2014/05/26
(22) METHOD FOR EVALUATING SRAM MEMORY CELL AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM WHICH RECORDS EVALUATION PROGRAM OF SRAM MEMORY CELL, KR-10-1452013,2014/10/10
(23) METHOD FOR EVALUATING SRAM MEMORY CELL AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM WHICH RECORDS EVALUATION PROGRAM OF SRAM MEMORY CELL, DE-2136372B1,2014/12/3
(24) ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE, EP-2128736,2016/7/13
(1) WAVEFORM CORRECTION CIRCUIT, 韓国11-275438
(2) INTERFACE CIRCUIT, 台湾-98114738.0
(3) WAVEFORM CORRECTION CIRCUIT, 台湾-89120220
(4) ＣＭＩＳ型半導体不揮発記憶回路 PCT/JP03/16143,2003/12/17 (米国成立）
(5) 半導体不揮発記憶回路 PCT/JP2005/00612
(6) 電子回路デバイス, PCT/JP2008/051318, 2008.1.29.
(7) ＳＲＡＭメモリセルの評価方法及びＳＲＡＭメモリセルの評価プログラム, PCT/JP2008/54308, 2008.3.10.
(8) 半導体記憶装置, PCT/JP2013/58217, 2013.3.22.